Wednesday, December 28, 2011

Bukti pertama dari material lapisan atom tunggal dengan resistansi elektris nol




Sebuah kelompok riset yang dipimpin oleh Dr. Takashi Uchihashi, seorang ilmuwan dari MANA dan Dr. Tomonobu Nakayama, Ketua Peneliti MANA, keduanya dari International Center for Materials Nanoarchitecnonics, National Institute for Materials Science, Jepang, mendemonstrasikan bahwa sebuah bahan yang terdiri atas lapisan tunggal atom pada permukaan silicon menjadi tanpa tahanan elektrik oleh superkonduktitvitas.
Arus utama Integrated Circuit(IC) saat ini, yang menggunakan peralatan semikonduktor membangkitkan panas yang berlebihan selama operasi, dan hal ini adalah permasalahan serius daru sudut pandang penghematan energy dan perlindungan lingkungan. Elemen logika yang menggunakan superkonduktor telah menarik perhatian sebagai sebuah kandidat efektif yang mana menawarkan sebuah solusi mendasar terhadap masalah ini. Di sisi lain, penelitian terhadap komunikasi quantum information menggunakan detector foton tunggal menggunakan peralantan superkonduktor juga mengalami kemajuan sebagai cara untuk komunikasi yang menjamin keamanan informasi yang sempurna. Sebagai wacana untuk aplikasi praktis di masa depan, dibutuhkan untuk merealisasikan perpaduan tingkat tinggi dan efisiensi tingkat tinggi dan lain-lain dalam penggunaan alat-alat tersebut. Pemurnian dan pembuatan lapisan tipis film dari material superkonduktor dianggap efektif untuk tujuan ini.

Berfokus pada sebuah lapisan atom tunggal yang disusun dengan struktur khusus pada sebuah lapisan silicon, tim yang dipimpin oleh Dr. Uchihashi yang diawasi untuk pertama kali di dunia bahwa resistansi elektris dari bahan ini menjadi 0, dan bahan tersebut menampilkan superkonduktivitas, ketika didinginkan pada suhu rendah. Lebih jauh lagi, ketika arus melalui bahan ini ketika naik, menjadi ungkin utnuk melewatkan arus besar 6.1 x 10^9 A/m2 (kepadatan arus) pada tingkat maximum. Berdasarkan pada prinsip superkonduktitivas, hal tersebut telah ditangani bahwa arus superkonduktif tersebut (arus dengan 0 resistansi) akan menjadi sulit untuk lewat pada daerah yang tertutup dan tidak teratur pada permukaan yang padat. Namun, riset ini membalikkan perkiraan tersebut.
Penelitian ini menjelaskan kenyataan bahwa ketebalan bahan superkonduktif bisa dikurangi pada batas tertinggi tingkat atom. Hal ini dianggap bahwa hasil ini akan mempercepat penelitian selanjutnya mengenai pemurnian/perpaduan unsur logika superkonduktif dan penelitian tentang kecepatan dan efisiensi yang lebih tinggi dalam detector superkonduktif.
Hasil Penelitian ini dijadwalkan untuk disebarkan di masa depan sebagai Saran Editor pda jurnal American Institute of Physics, Physical Review Letters.

http://www.physorg.com/news/2011-11-proof-atomic-layer-material-electrical.html

No comments:

Post a Comment